MOS-FET GOAパワーアンプ

金田式、バッテリーパワーアンプは1988年頃製作したもので、電源は外付けAC電源を利用しています。現在はパソコン用として、DAコンバーターの上に置いて使用しています。

金田式アンプNo.91のインバーテッドダーリントン仕様で製作し、熱暴走で2SD188/2SA627を燃やしてしまい。新たにエミッターフォロアー仕様でSD218/2SA6492N3055/MJ2955を左右チャンネルに使用した状態で現在まで使用していました。

20079月に右チャンネルからノイズが出るようになり、修理の過程で壊れていない左チャンネルのパワートランジスター2SA649を壊してしまい、代わりの石がないので、MOS-FET 2SK134/2SJ49を使用して修理することにしました。右チャンネルはアイドリング電流が全く流れておらず、クロスオーバー歪みを発生していたようです。

GOAアンプと電源部

 電源部はジャンクのRコアトランス13V-0-13Vを使用し±15Vの電源電圧を供給しています。

GOAアンプ内部

オリジナルにはソース抵抗0.47Ωはないのですが、アイドリング電流をチェックしたいのと、以前トランジスターが熱暴走して燃えたのが忘れられず付けています。ケースが小さく放熱器を付けていないため、アイドリング電流は80mAですが、かなり熱くなります。

GOAアンプ回路図

オリジナルのGOAアンプ部はそのままにして、バイアス回路の1S1588とゲート抵抗、パワーFET部分のみ改造して修理しました。

ダイオード2本のバイアス回路は無調整で良く、80mAで安定し熱結合も必要ないためトランジスター回路と比較してかなり楽に製作できます。

コンプリメンタリートランジスターを使用するためには、GOAが必要なので、GOAアンプのメリットは十分あると思います。

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